太陽能發電模組製造方法Method for Fabricating Power-Generating Module with Solar Cell

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

14/075,472

專利證號

US 9,040,333 B2

專利獲證名稱

太陽能發電模組製造方法Method for Fabricating Power-Generating Module with Solar Cell

專利所屬機關 (申請機關)

財團法人國家實驗研究院

獲證日期

2015/05/26

技術說明

兼顧經濟發展與環境保護的新能源科技是二十一世紀科技界重要的研發課題。太陽能是最大無碳能源的供給來源，而太陽能電池是目前所知能將太陽光能直接轉換為電能的唯一技術，因此在綠色再生能源科技中備受重視。本實驗室發表一高密度電漿矽薄膜沉積技術，此技術可用來製造高效率且低成本之薄膜太陽能電池，並可將此電池整合進電晶體模組中。本實驗室在140℃下，成功製造薄膜太陽能電池達到9.6%光電轉換效率，所製造之電晶體其電子遷移率也達到1.1cm2/V-s，元件在90℃和60℃之製程溫度下也將被深入探討。藉由此低溫薄膜沉積技術，我們將可以整合電子元件於價格低廉、可撓式之基板上，以達到能源充沛利用的成果。 Developing new energy technology for taking into account economic growth and environmental protection is an important challenge encountered by scientists and engineers of the 21 century. Our sun is the largest carbon-free energy source. For the first time, we report a low temperature silicon thin film deposition technology using high density plasma for high performance and low cost solar cells with embedded transistor modules. For process temperature at 140oC, energy conversion efficiency of 9.6% and electron mobility of 1.1 cm2/V-s have been achieved. Device performance with process temperature down to 90oC and 60oC has also been examined in depth. This very low process temperature technology can integrate energy harvesting with electronics on inexpensive and flexible substrates.

備註

本部(收文號1110009447)同意該校111年2月17日國研授半導體企院字第1111300263號函申請終止維護專利(財團法人國家實驗研究院)

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連絡電話

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