發光二極體燈具

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

103118532

專利證號

I 570349

專利獲證名稱

發光二極體燈具

專利所屬機關 (申請機關)

逢甲大學

獲證日期

2017/02/11

技術說明

本計畫旨在於研究發展一種全彩化（紅、綠和藍光）準直光場形發光二極體光源的技術應用於超微型投影機，利用奈米結構來改變發光二極體出光特性，包含光子晶體使用於氮化鎵薄膜發光二極體達到準直遠場場形分佈，並使用量子點螢光粉應用於元件上達到全彩化準直光場形之高效率波長轉換方法。在氮化鎵薄膜發光二極體磊晶片方面，本實驗室將直接向國內發光二極體廠商採購所需之結構磊晶片；元件之模擬設計方面，本實驗室已架構氮化鎵薄膜光子晶體發光二極體結構之優化理論模型，且已有相當成果，可提供最佳優化之元件結構參數；元件製作方面，本實驗室已累積豐富氮化鎵光電元件製程技術，並搭配貴重儀器中心製程設備，我們具有能力開發最新全彩化準直光場形之元件製程。本計畫預期完成之工作項目為高準直光場形之氮化鎵薄膜光子晶體發光二極體結構設計、製作與特性量測，利用量子點螢光粉於氮化鎵薄膜光子晶體發光二極體達到波長轉換之製作及特性量測。 In this project as proposed, GaN-based photonic crystal (PhC) thin-film light-emitting diodes (TFLEDs) and self-assembled quantum dot (QD) phosphor technique are chosen as the main role on developing its unique applications, including GaN PhC TFLEDs based highly directional far-field patterns and full-color converter used in pico-projector. We have established the simulation models for optimizing the structure and characteristics of GaN PhC TFLEDs, and have developed the process for fabricating GaN PhC TFLEDs. We have the potential for developing new process application in pico-projector light-emitting devices. We propose: (a) the development highly directional beam profiles of the GaN PhC TFLEDs process, and the structure design of the devices; (b) the fabrication and characteristics measurement of the GaN PhC TFLEDs with quantum-dot phosphor structure.

備註

本部(收文號1090071191)同意該校109年11月26日逢產字第1090024446號函申請終止維護專利(逢甲)

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