磊晶用基板及其製作方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

大陸

專利申請案號

201110378822.X

專利證號

ZL 201110378822.X

專利獲證名稱

磊晶用基板及其製作方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立中興大學

獲證日期

2015/04/22

技術說明

習知光以特定臨界角以上之角度入射至電極、p型半導體界面或基板表面時將由於折射率差易產生全反射，在此橫向傳播的路徑上，將會消耗入射光之能量，導致LED之亮度衰減。故現有方法係將LED之晶片加工為半球狀或角錐型等，藉此使入射光以小於特定臨界角之方式入射以減低入射光反射之機率，但LED之晶片加工困難，且易產生晶片損毀之問題。再者，另一方法係將發光二極體之表面粗糙化，但此法亦可能破壞p-n接合面，致使LED發光效率降低。 本發明利用該圖案化基板的複數凹槽及複數形成於基板的基面的蝕刻面，產生更多有易於發光層產生的光行進至該基板時產生反射與繞射等作用的機會，再將光改變行進方向而實質往上行進，減少基板吸收光的比例，增加該發光二極體發光亮度。 本發明專利摘要 一種磊晶用基板，包含一頂面，及複數自該頂面向下延伸的晶面，其中，每n個晶面構成一角錐形的凹孔，n是不小於3的正整數，每一凹孔的其中一晶面與頂面的連接線至另一最相鄰凹孔的最相鄰晶面與頂面之連接線的間距不大於500nm，當使用本發明進行磊晶時，是自該等晶面成核後成長並聚集，而非於有應力殘留或缺陷存在的頂面開始成核、成長，而可得到缺陷較少、晶體品質較佳的磊晶層體，進而提升以此磊晶用基板製作出的元件的工作效能。 A patterned substrate for epitaxially forming a light-emitting diode includes: a top surface; a plurality of spaced apart recesses, each of which is indented downwardly from the top surface and each of which is defined by a recess-defining wall, the recess-defining wall having a bottom wall face, and a surrounding wall face that extends from the bottom wall face to the top surface; and a plurality of protrusions, each of which protrudes upwardly from the bottom wall face of the recess-defining wall of a respective one of the recesses. A light-emitting diode having the patterned substrate is also disclosed.

備註

本部(文號1090000062)同意該校108年12月31日興產字第1084300814號函申請終止維護專利(中興)

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