單晶片式無機駐極體電容麥克風及其製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

092126878

專利證號

I 232691

專利獲證名稱

單晶片式無機駐極體電容麥克風及其製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立中興大學

獲證日期

2005/05/11

技術說明

本發明提供一種單晶片式無機駐極體電容麥克風及其製造方法。該單晶片式無機駐極體電容麥克風包含一機殼及一封裝 於機殼中之駐極體電容麥克風晶片。該駐極體電容麥克風晶片一電極層、一自該第一電極層向下形成之駐極體振動膜、 一自該駐極體振動膜向下形成且界定出一空間的氣室層，及一自該氣室層向下形成的背氣室單元，該氣室層包括以一蒸 鍍層及一自該蒸鍍層向下形成的增厚層共同形成之一外環壁及多數被該外環壁環限的音孔塊，該電極層與該蒸鍍層藉該 駐極體振動膜之一無機駐極體材料層構成一駐極體式電容，當一聲能作用於該電極層後，該駐極體振動膜對應產生形變 而使電容變化，同時該駐極體振動膜形變引起之氣流可藉該外環壁與該等音孔塊彼此間的間隙在該氣室層之空間與機殼 中流動。

備註

本部(收文號1050025911)同意該校105年4月12日興產字1054300245號函申請終止維護專利

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