具有異質磊晶之奈米尺度結構的發光二極體

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

096107351

專利證號

I 326132

專利獲證名稱

具有異質磊晶之奈米尺度結構的發光二極體

專利所屬機關 (申請機關)

國立中興大學

獲證日期

2010/06/11

技術說明

本發明是具有異質磊晶之奈米尺度結構的發光二極體，包含一層基材、一層可以光電效應產生光並與該基材連接的磊晶 膜、一層連接在該磊晶膜上的結構層，及一個可對該磊晶膜提供電能的電極單元，該結構層具有複數以異質磊晶形成且 高度參差但均介於奈米尺度問的異質磊晶結構，該異質磊晶結構頂部共同界定形成一不連續面而導引該磊晶膜產生的光 向外射出，藉此可以提昇元件的外部量子效應、增強元件整體對外發光亮度。

備註

本部(收文號1050025911)同意該校105年4月12日興產字1054300245號函申請終止維護專利

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