場發射發光元件及其發射陰極與氧化鋅陽極之製備方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

097122589

專利證號

I 385698

專利獲證名稱

場發射發光元件及其發射陰極與氧化鋅陽極之製備方法

專利所屬機關 (申請機關)

國防大學

獲證日期

2013/02/11

技術說明

本發明是有關於場發射發光元件及其發射陰極與氧化鋅陽極之製備方法，其可改善發射源與基材間之附著性，提升氧化鋅薄膜發光效率，卑能應用於顯示器和照射器上。相較於習知場發射裝罝之製作方法，本發明所提供之製法可降低製作成本與時程、容易大面積製作。此外，本發明更揭露一種場發射發光元件，其包括氧化鋅／奈米碳材複合材陰極、氧化鋅陽極、及一隔離器。本發明是有關於場發射發光元件及其發射陰極與氧化鋅陽極之製備方法，其可改善發射源與基材間之附著性，提升氧化鋅薄膜發光效率，卑能應用於顯示器和照射器上。相較於習知場發射裝罝之製作方法，本發明所提供之製法可降低製作成本與時程、容易大面積製作。此外，本發明更揭露一種場發射發光元件，其包括氧化鋅／奈米碳材複合材陰極、氧化鋅陽極、及一隔離器。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

連絡電話

03-3652242

網址