具優良可撓性之奈米碳管導電薄膜的製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

097150221

專利證號

I 441776

專利獲證名稱

具優良可撓性之奈米碳管導電薄膜的製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立中興大學

獲證日期

2014/06/21

技術說明

在多層奈米碳管透明導電薄膜上，其二維多孔網狀結構中使用聚乙烯醇奈米薄膜，形成單層保護或雙層奈米薄膜保護結構，其聚乙烯醇薄膜對於多層奈米碳管透明導電薄膜，可提高對曲撓性的抵抗，並具有極佳的光熱穩定性。在熱壓處理之後，聚乙烯醇薄膜可藉由多層奈米碳管增加外層與外層間的附著力。薄膜藉由測試發現，在丙酮、乙醇及水中不改變。由圖3b與c得知，多層奈米碳管分散於水中，其直徑大約為15–25 nm，平均直徑為~20 ± 4 nm。 We found that the PVA film plays a central role in stabilization of the honeycomb structures. After the thermo-compression process, the PVA film provides the additional advantage of adhering the intra- or inter- junctions of MWCNT wires, which is amenable to effective conducting pathways. Moreover, the film underwent no modifications when exposed to acetone, ethanol, or water. Finally, evidence of individual MWCNT was observed, as shown in Figure 3b and c. The average diameter of MWCNT is ~20  4 nm, which is very close to that (15–25 nm) of pure MWCNT dispersed in water.

備註

本部(收文號1080029338)同意該校108年5月10日興產字第1084300302號函申請終止維護專利

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