光學漸變層及其製作方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

091014

專利證號

190890

專利獲證名稱

光學漸變層及其製作方法

專利所屬機關 (申請機關)

財團法人國家實驗研究院

獲證日期

2003/11/11

技術說明

一種形成光學漸變層之方法，適用於一基材之上，包含下列步驟：於上述基材上形成一介電 質，包含一上表面與一下表面，其中上述下表面係與上述基材交界；和以一含氧原子的氣體 電漿處理上述介電質，以形成一作為抗反射層，且氧化程度由上述上表面向下逐漸降低的光 學漸變層。本發明更包括一種光學漸變層，形成於一基材之上，包括：於上述基材上形成有 一介電質，包含一上表面與一下表面，其中上述下表面係與上述基材交界；以及以一含氧原 子的氣體電漿處理上述介電質所形成的一作為抗反射層，且氧化程度由上述上表面向下逐漸 降低的光學漸變層。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

國研院技術移轉中心

連絡電話

02-66300686

網址