發明
中華民國
106103875
I 642273
製程及溫度變異偵測器
國立中山大學
2018/11/21
一種製程及溫度變異偵測器包含一環形振盪器、一計數器及一判斷單元,該環形振盪器輸出一振盪訊號,該計數器接收該環形振盪器之該振盪訊號,其用以計數該振盪訊號於一時間中的振盪次數而輸出一計數訊號,該判斷單元接收該計數訊號,以根據該計數訊號的振盪次數判定電晶體的製程角落(Process corner)。 本設計提出之製程及溫度變異偵測器由兩種偵測器所組成,分別為NMOS製程及溫度變異偵測器與PMOS製程及溫度變異偵測器。NMOS製程及溫度變異偵測器內使用NMOS-type inverter,而PMOS製程及溫度變異偵測器內則使用PMOS-type inverter,藉由NMOS-type與PMOS-type inverter形成之環形震盪器,在不同製程飄移下產生不同的訊號,由訊號之震盪次數來判斷製程角落,此架構亦可偵測製程(TT、FF、SS、FS、SF),以及溫度之飄移。 A process and temperature variation detector includes a ring oscillator, a counter and a determined unit. The ring oscillator outputs an oscillated signal. The counter received the oscillated signal of the ring oscillator for counting the oscillation numbers of the oscillated signal in a period and outputting a counted signal. The determined unit received the counted signal for determining the process corner of the transistor according to the oscillation numbers of the oscillated signal.
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