熱電奈米感測器及其製造方法與應用方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

108116090

專利證號

I 746974

專利獲證名稱

熱電奈米感測器及其製造方法與應用方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立清華大學

獲證日期

2021/11/21

技術說明

本發明係提供一種熱電奈米感測器的製造方法，其包含：準備一第一導電材料；於第一導電材料上形成複數碲奈米結構物；準備一第二導電材料；以及將第二導電材料形成於此些碲奈米結構物上。當一待測物與熱電奈米感測器中的碲奈米結構物反應而生成碲化物奈米結構物時，或是因待測物吸附而造成熱電奈米感測器之電阻值改變時，熱電奈米感測器受溫度變化而產生之電訊號輸出改變。藉此，可檢測出待測物之成分及濃度。 A thermoelectric nanosensor manufacturing method is provided. The method includes: preparing a first conductive material; forming a plurality of tellurium nanostructures on the first conductive material; preparing a second conductive material; forming the second conductive on the tellurium nanostructures. When a testing piece is reacted with the tellurium nanostructures for forming telluride nanostructures, or the testing piece is attached on the telluride nanostructures for generating a resistance variation, an electric signal output of the thermoelectric nanosensor is varied under a temperature variation. Therefore, the material composition and concentration of the testing piece can be detected by the thermoelectric nanosensor.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智財技轉組

連絡電話

03-5715131-62219

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