含二吡啶并啡(口井)配位基之銅錯合物

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

101140516

專利證號

I 464174

專利獲證名稱

含二吡啶并啡(口井)配位基之銅錯合物

專利所屬機關 (申請機關)

國立中興大學

獲證日期

2014/12/11

技術說明

本發明之目的即在提供一種含二吡啶并啡配位基之銅錯合物，可透過UVA誘發其良好的DNA裂解效果，且能透過能量較UVA更低之藍光的照射誘發其良好的光動力治療癌症的效果。 於是，本發明含二吡啶并啡配位基之銅錯合物，是由下式(IV)所示：於式(IV)中，Z表示 或 ；R1至R3分別表示氫、經取代或未經取代的C1至C9烷基、經取代或未經取代的C6至C10芳基、甲氧基、―NY1Y2或硝基，Y1及Y2分別表示氫或C1至C6烷基；及X表示一陰離子。 本發明之另一目的即在提供一種用於治療一癌症的藥學組成物，其包含有一如上所述的銅錯合物。 本發明含二吡啶并啡配位基之銅錯合物之功效在於：藉由二吡啶并啡配位基及特定的N,N,O-希夫鹼配位基，使本發明銅錯合物可透過UVA的照射誘發其裂解DNA的效果，尤其是更可透過傷害較低之藍光的照射，誘發其極高的光動力治療癌症之潛力，且適用於製成以光動力療法治療癌症的藥學組成物。 Photodynamic therapy is a newly developed way to treat cancer. For this research,we synthesized a serious of complexes which showed great activity and potential in application of photodynamic therapy.

備註

本部(文號1090000062)同意該校108年12月31日興產字第1084300814號函申請終止維護專利(中興)

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