具有抗反射表面的太陽電池的製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

097114554

專利證號

I 430467

專利獲證名稱

具有抗反射表面的太陽電池的製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立臺灣師範大學

獲證日期

2014/03/11

技術說明

在太陽能電池技術中，表面粗糙化是用於降低電池表面反射率並提高其效率不可缺少的程序。本技術採用光輔助電化學蝕刻(PAECE)技術，在矽晶片表面製作倒金字塔結構和高深寬比垂直深孔洞的複合結構，以減少電池表面的反射率。本製程技術所製造的深孔洞陣列結構其蝕刻深度約69.7 微米，直徑約為5 微米 ，使得結構深寬比約為13.9:1 。在280 nm~ 800 nm波長範圍內，一個未粗化處理的矽晶片之平均反射率為37.4 ％，然而，使用120分鐘PAECE處理以產生倒金字塔結構和垂直深孔洞複合的結構，可以減少平均反射率至0.72％。本新型製造方法具有低成本競爭優勢，而該複合結構則可應用於單晶矽太陽能電池抗反射結構，增進其光電轉換效率。 In solar cell technology, surface texturing is essential for reducing the reflectance of cell surfaces and increasing their efficiency. This study employs photo-assisted electrochemical etching (PAECE) to fabricate a composite structure comprising a reversed pyramid structure and a high aspect ratio macro-pore on the silicon wafer surface, to reduce cell surface reflectance. The experimental results show that the etching depth of the fabricated macro-pore array structure was approximately 69.7 um and its diameter was approximately 5 um, such that the aspect ratio of the pore was approximately 13.9:1. The mean reflectance of a blank silicon wafer is 37.4% in the wavelength range of 280 nm ~ 800 nm; however, the reversed pyramid created using a 120-minute PAECE process can reduce the mean reflectance to 0.72%. The novel fabrication process developed in this study is low cost and the composite structure can be applied to antireflection structures in single crystalline silicon solar cells.

備註

本部(發文號1100066083)同意貴校110年10月29日師大研合字第1101028358號函申請終止維護專利。(師大)

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