一種高介電常數低漏電流金屬氧化物半導體電容結構的製作方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

093136404

專利證號

I245409

專利獲證名稱

一種高介電常數低漏電流金屬氧化物半導體電容結構的製作方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立中山大學

獲證日期

2005/12/11

技術說明

液相沉積二氧化矽薄膜/有機金屬化學氣相沉積二氧化鈦薄膜之高介電常 數低漏電流堆疊結構

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學營運及推廣教育處

連絡電話

(07)525-2000#2651

網址