利用表面電漿共振效應之太陽能電池

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

104111795

專利證號

I 572048

專利獲證名稱

利用表面電漿共振效應之太陽能電池

專利所屬機關 (申請機關)

國立中央大學

獲證日期

2017/02/21

技術說明

近年來，由於工業化的結果，大量燃燒石化原料造成溫室效應、全球暖化及氣候變化劇烈的情形，使得全世界的國家都體會到替代性能源的重要性。替代性能源如風力、水力、地熱及太陽能都是相當受到矚目的綠色能源，其中又以太陽能的轉換效率較高且技術發展較為成熟，因此被視為最佳的替代性能源。 因為矽是IC半導體的主要原料，所以對於矽的加工技術已經累積有相當多的經驗，所以相當適合用來製作太陽能電池。然而，由於矽晶太陽能電池的能隙大約為1.1電子伏特，僅能吸收波長約1000奈米以下的近紅外光、可見光及紫外光，至於波長較長的紅外光則是無法完全吸收，短波長的藍紫光只有一小部分的低能量被利用，其他部分都轉變成熱能，由此可知，矽晶太陽能電池無法將所有波長的光線做最適當的利用，造成光電轉換效率難以提升。 本發明為一種太陽能電池，包含有一基板、一第一電極、一第二電極，以及一結構體，第一、第二電極之間以相互間隔方式設置於基板之表面，使得第一、第二電極之間形成一狹縫，結構體設於第一電極鄰接於狹縫之邊緣。藉此，當入射光照射至結構體時，未被反射的光線會透過結構體於第一電極上產生表面電漿子及電位差，使自由電子隨著光線沿著第一、第二電極之表面產生流動而發出電流訊號。 By using the plasmonic effect, solar cells which are only constructed by metals can be fabricated with lower cost. The fabricated device structure contains the contact electrodes and plasmonic structure that can create a voltage drop and current flow.

備註

本部(收文號1090071728)同意該校109年11月30日中大研產字第1091401301號函申請終止維護專利(中央)

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