含奈米點之有機發光二極體裝置結構

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

096120455

專利證號

I 410162

專利獲證名稱

含奈米點之有機發光二極體裝置結構

專利所屬機關 (申請機關)

國立清華大學

獲證日期

2013/09/21

技術說明

本發明係揭露一種奈米點強化有機發光二極體之結構及其製造方法，此有機發光二極體裝置至少包含有基板、第一導電層、緩衝層、電洞傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層及第二導電層。其製造方法，乃以奈米點摻混入元件之電洞傳輸層、發光層或電子傳輸層，組成層狀發光結構；其中，奈米點亦可單獨成膜，置於各層之間；使用上述兩種製造方式，均可大幅提昇有機發光二極體之效率。本發明提供一種奈米點強化之高效率有機發光二極體及其製造方法 A nano-dot enhanced organic light-emitting diode (OLED) and its manufacturing approaches are disclosed. The OLED apparatus includes a substrate, a first electrically conductive layer, a buffer layer, a hole-transporting-layer, an emissive-layer, an electron-transporting-layer, an electron-injection-layer and a second electrically conductive layer. Its manufacturing approaches are described below. The nano-dot can be doped into the hole-transporting-layer, the emissive-layer or the electron-transporting-layer to form a layered electroluminescent structure. The other way is using the nano-dot to form a buffer layer between layers. By using these two manufacturing approaches, the efficiency of the OLEDs can be markedly enhanced.

備註

本會(收文號1110060946)同意該校111年9月29日清智財字第1119007219號函申請終止維護專利(國立清華大學)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智財技轉組

連絡電話

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