成分元素濃度漸變分佈之載子通道及其製作方法CARRIER CHANNEL WITH ELEMENT CONCENTRATION GRADIENT DISTRIBUTION AND FABRICATION METHOD THEREOF

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

14/483,169

專利證號

US 9,196,483 B1

專利獲證名稱

成分元素濃度漸變分佈之載子通道及其製作方法CARRIER CHANNEL WITH ELEMENT CONCENTRATION GRADIENT DISTRIBUTION AND FABRICATION METHOD THEREOF

專利所屬機關 (申請機關)

國立清華大學

獲證日期

2015/11/24

技術說明

本發明為一種成分元素濃度漸變分佈之載子通道，包含一基材及一堆疊層。堆疊層是由一材料堆疊於基材上所構成，堆疊層具有一接觸面，且接觸面與基材接觸。此材料藉由快速熱熔製程自接觸面結晶形成一載子通道，載子通道之成分元素濃度呈漸變分佈，其中載子通道高度與載子通道寬度之比值大於1。藉此，可以依照元件特性需求於載子通道上選擇相對應的位置，並以其作為主要作動區域。因此不需額外的製程步驟調整濃度，可以減化製作流程；此外，快速熱熔製程所需要的製程時間較少，可以減少元件製造過程中的熱預算，進而降低生產成本。 A carrier channel with gradient distributing element concentration includes a substrate and a piling layer. The piling layer is formed by piling a material on the substrate. The piling layer includes a contact surface contacting with the substrate. The material crystallizing by the rapid melt growth is used as a carrier channel. The carrier channel has h gradient distributing element concentration, and the aspect ratio of the carrier channel is greater than one. Therefore, the device can change the section of the carrier channel adapting to their characteristics, and the devices adjust the element concentration without additional processes. Finally, the rapid melt growth needs less process time and it can reduce thermal budget and production cost.

備註

本部(收文號1100002967)同意該院110年1月12日清智財字第1109000186號函申請終止維護專利(國立清華大學)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智財技轉組

連絡電話

03-5715131-62219

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