一種鈣鈦礦薄膜電容結構及其製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

091133891

專利證號

I 223433

專利獲證名稱

一種鈣鈦礦薄膜電容結構及其製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立交通大學

獲證日期

2004/11/01

技術說明

本案係指一種於低溫下之電晶體鈣鈦礦電容結構及其製造方法，其包含下列步 驟：(a)提供 一基板；(b)形成一釕薄膜於該基板上；以及(c)再依序形成一第一釕酸鍶鋇電 極、一鈣鈦礦 電容材料之結構、及一第二釕酸鍶鋇電極結構於該釕薄膜上。

備註

本部(收文號1040087827)同意該校104年12月10日交大研產學字第1041013203號函申請終止維護專利

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