記憶體裝置及其操作方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

110133035

專利證號

I 782693

專利獲證名稱

記憶體裝置及其操作方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立中正大學

獲證日期

2022/11/01

技術說明

由於現有技術的挑戰，本發明的實施例針對用於靜態隨機存取記憶體裝置的低功耗寫入和待機輔助電壓生成以及用於關閉靜態隨機存取記憶體裝置的集成電源開關的方法和裝置。根據各種實施例，一個或多個靜態隨機存取記憶體細胞元可以包括本地電源電壓節點和電壓產生裝置，例如電源輔助電路，用於將本地電源電壓節點驅動到產生的電源電壓或浮動電壓。狀態。對於各種實施例，所產生的電源電壓可以在寫操作期間增加寫入裕度或在待機操作期間減少電流洩漏。將本地電源電壓節點驅動到浮動狀態可以消除關閉模式期間的電流洩漏。根據各種實施例，當產生用於驅動本地電源電壓節點的電源電壓時，電源輔助電路可以獲得穩定的電壓而不消耗靜態電力。因此，對於各種實施例，不僅在其他訪問單元的讀或寫操作期間未被訪問，而且在所有靜態隨機存取記憶體細胞元的睡眠操作期間未被訪問的靜態隨機存取記憶體細胞元可以處於待機操作。 在所附權利要求中陳述了被認為是本發明的各種實施例的特徵的其他特徵。 The present invention relates to a single-ended sense amplifier, and more particularly, to a single-ended sense amplifier using adaptive virtual-supply voltages for ultra-low-voltage operation with low standby-leakage and the operation method thereof. With the new circuit design of mutually adapting virtual-supply voltages, the single-ended sense amplifier of this invention achieves higher operation reliability, higher operation speed, lower minimum supply voltage, and lower standby leakage with a small number of transistors used.

備註

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