利用熱回流光阻技術製造奈米級閘極於半導體裝置中之方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

092112920

專利證號

I 194183

專利獲證名稱

利用熱回流光阻技術製造奈米級閘極於半導體裝置中之方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立交通大學

獲證日期

2004/01/01

技術說明

本發明有關一種利用熱回流光阻技術製造奈米級閘極於半導體裝置中之方法，包含下列步驟 (1)利用一光阻塗佈機依序旋塗兩層光阻於一矽基板之上，其中該兩層光阻之一底層光阻係對 電子束比較不敏感但解析度較高之一高分子光阻，及該兩層光阻之一頂層光阻係對電子束比 較敏感但解析度較低之另一高分子光阻；(2)藉一熱盤來加熱該兩層光阻，使該兩層光阻硬 化；(3)藉一高加速電壓之電子束微影技術，以直寫方式在該兩層光阻上曝射出形成閘極之光 阻圖案；(4)利用顯影劑及蝕刻劑顯影及蝕刻出該閘極之凹洞；(5)以電子槍蒸鍍技術在該閘 極凹洞處鍍上一層金屬層；以及(6)去除該等光阻以形成閘極，其特徵在於蝕刻出該閘極之凹 洞後，以熱盤加熱方式回流該等光阻，透過適當的加熱時間及溫度，使該閘極之凹洞形成所 需之奈米級寬度。

備註

本部(收文號1040087827)同意該校104年12月10日交大研產學字第1041013203號函申請終止維護專利 (多填I係為了系統儲存規則)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智慧財產權中心

連絡電話

03-5738251

網址