直流濺鍍用的濺鍍靶材及具有其鍍膜的垂直磁性記錄媒體

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

106101779

專利證號

I 640644

專利獲證名稱

直流濺鍍用的濺鍍靶材及具有其鍍膜的垂直磁性記錄媒體

專利所屬機關 (申請機關)

國立中興大學

獲證日期

2018/11/11

技術說明

本發明提供一種直流濺鍍用的濺鍍靶材，包含一Mg1-xAxO1-yDy之化學式(1)；其中，A是一選自由下列所構成之群組的金屬元素：Ti、Al、Ta、V、Sc、Y，及前述金屬元素的組合； D是N，或N與一選自由下列所構成之群組的非金屬元素的組合：C、B，及前述非金屬元素的組合；0.3≤x<0.8，且0.1≤y≤0.51；該化學式(1)是一岩鹽結構，A於該岩鹽結構中是取代Mg的部分晶格位置，且D於該岩鹽結構中是取代O的部分晶格位置。本發明亦提供一種具有經直流濺鍍上述濺鍍靶材之鍍膜的垂直磁性記錄媒體，且該鍍膜具有(200)之織構。

備註

本會(收文號1120002852)同意該校112年1月9日興產字第1124300027號函申請終止維護專利(國立中興大學)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

技術授權中心

連絡電話

04-22851811

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