製造III-V族半導體裝置的互連件之方法，及III-V族半導體裝置

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

日本

專利申請案號

特願 2019-222944

專利證號

特許 6949384

專利獲證名稱

製造III-V族半導體裝置的互連件之方法，及III-V族半導體裝置

專利所屬機關 (申請機關)

國立交通大學

獲證日期

2021/10/13

技術說明

以AZ5214E及AZ4620兩種光阻製作具有導角的超厚光阻結構，並以WNx、Pt、TiN為阻障層，搭配厚銅金屬結構製作高頻高功率元件。 AZ5214E and AZ4620 are used to fabricate the thick photoresist structure with undercut to facilitate thick copper evaporation. Furthermore, WNx, Pt, TiN are used as barrier layer to manufacture high power and high frequency devices with copper metallization structure.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智慧財產權中心

連絡電話

03-5738251

網址