含銻化合物之量子點光電元件Quantum dot optoelectronic device having an Sb-containing overgrown layer

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

11/500,935

專利證號

US 7,456,423 B2

專利獲證名稱

含銻化合物之量子點光電元件Quantum dot optoelectronic device having an Sb-containing overgrown layer

專利所屬機關 (申請機關)

國立中央大學

獲證日期

2008/11/25

技術說明

待補

備註

本部(收文號1050047992)同意該校105年7月7日中大研字第1051430192號函申請終止維護專利97件(中央)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智權技轉組

連絡電話

03-4227151轉27076

網址