製造非晶形碳氫閘極酸鹼離子感測場效電晶體之方法及測量其溫度參數、時漂、遲滯之方法與裝置(美國專利分割案二)

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

US6963193B2

專利證號

US6963193B2

專利獲證名稱

製造非晶形碳氫閘極酸鹼離子感測場效電晶體之方法及測量其溫度參數、時漂、遲滯之方法與裝置(美國專利分割案二)

專利所屬機關 (申請機關)

國立雲林科技大學

獲證日期

2005/11/08

技術說明

一種具有非晶形碳氫感測膜之pH-ISFET裝置，係利用電漿輔助-低壓化學氣相沉積系統將非晶 形碳氫膜沉積於ISFET之閘極氧化層上，於本發明之最佳化條件下，可達53-59mV/pH之線性感 測度，對其最佳化條件所製作之ISFET元件利用一恆壓恆流電路，配合一電壓-時間紀錄器分 別量測出元件之遲滯與時漂，並利用電流-電壓量測系統對具有非晶形碳氫/二氧化矽雙層結 構之酸鹼離子感測場效電晶體，在不同的操作溫度及pH值下量測其電流-電壓曲線，進而由這 些電流-電壓曲線與溫度的關係，可得到非晶形碳氫酸鹼離子感測場效電晶體之溫度參數。 An a-C:H ISFET device and manufacturing method thereof. The present invention prepares a-C:H as the detection mambrane of an ISFET by plasma enhanced low pressure chemical vapor deposition (PE-LPCVD) to obtain an a-C:H ISFET. The present invention also measures the current-voltage curve for different pH and temperatures by a current measuring system. The temperature parameter of the a-C:H ISFET is calculated according to the relationship between the current-voltage curve and temperature. In addition, the drift of the a-C:H ISFET for different pH and hysteresis width of the a-C:H ISFET for different pH loop are calculated by a constant voltage/current circuit and a voltage-time recorder to measure the gate voltage of the a-C:H ISFET.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智財管理組

連絡電話

(05)5342601轉2521

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