動態隨機存取記憶體之內容可定址記憶單元

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

098143977

專利證號

I 440033

專利獲證名稱

動態隨機存取記憶體之內容可定址記憶單元

專利所屬機關 (申請機關)

國立彰化師範大學

獲證日期

2014/06/01

技術說明

一種動態隨機存取記憶體之內容可定址記憶單元，主要係由一第一電晶體、一第二電晶體、一第三電晶體、一第一導線、一第二導線、一第三導線與一地線所組成。其可僅利用上述三顆電晶體來實現資料快速存取作業，因而具有低功耗、低成本與小面積之優勢。另，兩個前述之動態隨機存取記憶體之內容可定址記憶單元，可組成一個二值內容可定址記憶單元，來滿足二值系統；亦可搭配特別的編碼方式，組成一個三值內容可定址記憶單元，來滿足三值系統。此外，其亦可被應用於一個動態隨機存取記憶體之字組內容可定址記憶單元，以減少所需之電晶體個數。 A DRAM-based content addressable memory cell (CAM) is disclosed. The CAM is composed by a first transistor, a second transistor, a third transistor, a first line, a second line, a third line, and a ground line. The access function of the CAM is achieved by only three transistors, and thus the CAM provides benefits including low power, reduced transistor and small size. On the other hand, a Binary CAM (BCAM) can be achieved by using two CAMs, and a ternary CAM (TCAM) can also be achieved by using two CAMs and a suitable coding rule. Additionally, the CAM can also be applied to the string content addressable memory, and thus the required transistors are reduced.

備註

本部(收文號1090021583)同意該校109年4月10日研發字第1090400116號函申請終止維護專利(彰師大)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

研究發展處

連絡電話

04-7232105轉1858

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