半導體元件的製造方法及該製造方法中所使用的磊晶基板與其半導體元件半成品METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, EPITAXIAL SUBSTRATE FOR USE THEREIN AND SEMI-FINISHED SEMICONDUCTOR DEVICE

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

13/846,298

專利證號

US 8,853,055 B2

專利獲證名稱

半導體元件的製造方法及該製造方法中所使用的磊晶基板與其半導體元件半成品METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, EPITAXIAL SUBSTRATE FOR USE THEREIN AND SEMI-FINISHED SEMICONDUCTOR DEVICE

專利所屬機關 (申請機關)

國立中興大學

獲證日期

2014/10/07

技術說明

一種半導體元件的製造方法，首先選擇具有第一晶格常數的材料製備主體；接著再選擇分別具有第二、三晶格常數的材料，由主體向上形成至少一包括具有第二晶格常數的第一薄膜與具有第三晶格常數的第二薄膜的犧牲層結構而製得磊晶基板，且第一晶格常數界於第二、三晶格常數間，而令犧牲層結構與主體相連接的界面，及該第一、二薄膜的界面分別產生兩種方向相反的晶格應力；然後自磊晶基板的最頂面向上磊晶形成元件磊晶結構；再形成替代基板於元件磊晶結構上；最後蝕刻移除犧牲層結構使磊晶基板與元件磊晶結構相分離製得一半導體元件半成品。 A semiconductor device manufacturing method, first select a material having a first lattice constant preparation main body.Then select respectively in the second and third lattice constant of the material, forming at least one direction by the main body comprises a second lattice constant of the first a thin film having a third lattice constant and the second thin film sacrificial layer structure of the system epitaxial substrate, and the first sector in the lattice constant of the second and third lattice constant a, so that the sacrificial layer and connected to the body structure interface, and the first and second thin film interface produces two opposite directions, respectively, lattice strain. Epitaxial substrates from most top facing epitaxial structure epitaxially forming elements; another alternative substrates for the formation of epitaxial structure.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

技術授權中心

連絡電話

04-22851811

網址