異質接面奈米線結構及其製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

097146214

專利證號

I 385118

專利獲證名稱

異質接面奈米線結構及其製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立成功大學

獲證日期

2013/02/11

技術說明

近年來可自我合成且具場發射與量子光電特殊應用領域導向之新穎奈米材料及製備技術，已成為奈米製程技術與材料研發上所關注之焦點。本發明旨在揭示一種整合陽極氧化鋁模板(anodic aluminum oxide template, AAOT)製作、電鍍沉積(electro-chemical deposition, ECD)與氧化製程技術，進行一種異質接面奈米線結構之製作。本發明主要特徵在於先行於半導體或玻璃或金屬基板上製備AAOT，再將不同金屬，以實施例為例，將金屬鎳(Ni)及金屬鋅(Zn)依序電鍍沉積於AAOT之奈米極孔洞(nano-pore)內，形成長度可調之Ni/Zn或Ni/Zn/Ni或其他多重金屬接面結構奈米線(Ni/Zn-NWs)。之後再經適當之氧化製程，將整體奈米線氧化成具有p-type形態之氧化鎳(NiO)半導體與具有n-type形態的氧化鋅(ZnO)半導體，形成p-NiO/n-ZnO或p-NiO/n-ZnO/p-NiO或其他多重半導體接面之奈米線結構。 本發明所揭示之奈米線異質接面結構之製備方式，具有不需觸媒、製程簡易與長度可控之優點，於製程上之極具創新性。透過材料的選擇、製程參數的調變與元件之設計，可藉由奈米線異質接面結構之量子效應有效提升元件之效能，於光偵測器(photo detector)、太陽能電池(solar cell)與發光二極體(LED)等方面極具應用價值。本發明所揭示之一異質接面奈米線結構及其製作技術，於光電元件之應用極具經濟價值，有助益於光電產業之發展。 This present invention discloses a simple fabrication method of heterojunctions of metal and metal oxides NWs inside the nanopores of anodic aluminum oxide template (AAOT) by using electro-chemical deposition (ECD) and thermal oxide annealing. The present invention discloses a simple and novel method for the self-synthesis of hetero-junctions NWs without using catalysts, easily growing and the length of NWs can be controlled accurately. The hetero-junctions would be a potential candidate in the applications of photo detector, solar cell and light emitted devices because of the quantum confinement effects of hetero-junctions NWs. The present heterojunctions NWs synthesis method would provide an effective and simple way for future developments of optoelectronic devices due to its nano structures and simple fabrication process.

備註

本部(收文號1060000114)同意該校105年12月30日成大研總字第1054501055號函申請終止維護專利

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

企業關係與技轉中心

連絡電話

06-2360524

網址