製作底切蝕刻微結構的製程方法A NOVEL FABRICATION METHOD FOR PRODUCING UNDERCUT-ETCHING MICROSTRUCTURE

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

099111450

專利證號

I 404136

專利獲證名稱

製作底切蝕刻微結構的製程方法A NOVEL FABRICATION METHOD FOR PRODUCING UNDERCUT-ETCHING MICROSTRUCTURE

專利所屬機關 (申請機關)

國立臺北科技大學

獲證日期

2013/08/01

技術說明

本發明提出一種製作底切蝕刻微結構的製程方法，此微結構大部份與基板分離，僅以一微小支柱與基板連結。其製作原理是使用離子佈植，在基板表面特定深度位置形成材料結構破壞區，接下來對基板進行蝕刻。在無蝕刻遮罩保護的區域，蝕刻會往深度方向進行，當蝕刻至材料結構破壞區時，由於離子佈植遮罩較蝕刻遮罩小，蝕刻會橫向沿著材料結構破壞區進行，構成一以支柱支撐的微結構。此製程方法可用於鐵電晶體、半導體等材料上，所製作的底切蝕刻微結構可應用於光波導、光電元件和電子元件，對於提昇元件效能、降低元件面積、提昇元件密度有很大的助益。 This invention proposes a novel fabrication method to produce under-cutting microstructures, which are mostly separated from the substrate only with connection by a small pillar. The fabrication principle is to use ion implantation to form a lattice-damage region at the specified depth below the substrate surface. When the substrate is immersed in etchant, the etching proceeds first along the depth direction in the region without etching mask. As the etching reach the depth of the lattice-damage region, the etching proceeds along the lateral direction to etch out the bottom of the region covered with etching mask. The process produces an almost free-standing one connected with the substrate only by a small pillar. The produced under-cutting microstructures can be used in various advanced fields, such as optoelectronic devices, and electronic devices. It facilitates to enhance the device efficiency, reduce the device area, and increase the device density.

備註

本部(收文號1060040584)同意該校106年6月19日北科大產學字第1067900147號函申請終止維護專利

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

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