微電極陣列及其奈米碳管電極介面的改質方法MICROELECTRODE ARRAY AND METHOD FOR MODIFYING CARBON NANOTUBE ELECTRODE INTERFACE OF THE SAME ARRAY

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

12/638,429

專利證號

US 8,593,052 B1

專利獲證名稱

微電極陣列及其奈米碳管電極介面的改質方法MICROELECTRODE ARRAY AND METHOD FOR MODIFYING CARBON NANOTUBE ELECTRODE INTERFACE OF THE SAME ARRAY

專利所屬機關 (申請機關)

國立清華大學

獲證日期

2013/11/26

技術說明

本發明為有關一種奈米碳管電極介面的改質方法，係將位於神經電極介面之奈米碳管進行三階段的改質；羧基化處理致使奈米碳管表面帶有羧基而改善其親水性；醯氯化處理使得羧基內之羥基轉變為氯，並藉由氨基化處理將氯轉變為末端帶有氨基的衍生物；改質過之奈米碳管電極介面阻抗下降，並增進神經細胞附著於奈米碳管的能力，而增強神經訊號的量測品質；本發明另提出一種微電極陣列，其奈米碳管電極介面利用上述方法將奈米碳管加以改質。

備註

本部(收文號1100002967)同意該院110年1月12日清智財字第1109000186號函申請終止維護專利(國立清華大學)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智財技轉組

連絡電話

03-5715131-62219

網址