混合式儲存記憶體

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

108123214

專利證號

I 744663

專利獲證名稱

混合式儲存記憶體

專利所屬機關 (申請機關)

國立臺灣師範大學

獲證日期

2021/11/01

技術說明

本發明提供一種混合式儲存記憶體，利用於該記憶體形成由負電容鐵電層及反鐵電層堆疊而得的儲存層疊結構，而得以有效改善記憶體的漏電流和次臨界擺幅特性，並提升操作耐受度。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學合作組

連絡電話

77341329

網址