CMOS 微機電側向接觸開關CMOS-MEMS SWITCH STRUCTURE

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

100115853

專利證號

I 425547

專利獲證名稱

CMOS 微機電側向接觸開關CMOS-MEMS SWITCH STRUCTURE

專利所屬機關 (申請機關)

財團法人國家實驗研究院

獲證日期

2014/02/01

技術說明

本專利公開了一種CMOS-MEMS開關結構。 CMOS-MEMS開關結構包括第一基板，第二基板，第一懸臂樑和第二懸臂梁。 第一基板和第二基板彼此相對放置。 第一懸臂梁設置在第一基板上，從第一基板向第二基板延伸，並且向下彎曲。 同樣，第二懸臂梁設置在第二基板上，從第二基板向第一基板延伸並向下彎曲。 第一基板和第二基板可彼此相對移動，以將第二懸臂樑的第一頂表面和第二懸臂樑的第二頂表面彼此連接，從而使第一懸臂樑的第一頂表面和第二懸臂相互連接。 斷開第二懸臂樑的第二頂表面，從而關閉或打開CMOS-MEMS開關結構。 A CMOS-MEMS switch structure is disclosed. The CMOS-MEMS switch structure includes a first substrate, a second substrate, a first cantilever beam, and a second cantilever beam. The first and second substrates are positioned opposite each other. The first cantilever beam is provided on the first substrate, extends from the first substrate toward the second substrate, and bends downward. Likewise, the second cantilever beam is provided on the second substrate, extends from the second substrate toward the first substrate, and bends downward. The first and second substrates are movable toward each other to connect a first top surface of the second cantilever beam and a second top surface of the second cantilever beam, and away from each other so that the first top surface of the first cantilever beam and the second top surface of the second cantilever beam are disconnected, thereby closing or opening the CMOS-MEMS switch structure.

備註

本部(收文號1090028278)同意該院109年5月15日國研授半導體企院字第1091300562號函申請終止維護專利(國研院)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

國研院技術移轉中心

連絡電話

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