一種應用薄膜鍍著於半導體銅銲墊晶片表面而實現金線與銅銲墊熱音波銲線接合的方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

11/180,448

專利證號

US7,326,640B2

專利獲證名稱

一種應用薄膜鍍著於半導體銅銲墊晶片表面而實現金線與銅銲墊熱音波銲線接合的方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立中正大學

獲證日期

2008/02/05

技術說明

本發明係於銅銲墊晶片表面鍍著薄膜,該薄膜具有自我鈍化功能,保護下層之銅銲墊避免於封 裝製程中,因晶圓切割、晶圓黏貼或固化過程與熱音波銲線製程中,因高溫造成氧化膜之成 長,而致使金球與銅銲墊無法銲著或銲著率與第一銲點之銲著強度過低。因此根據本發明選 擇適當的薄膜種類與適當薄膜厚度鍍著於銅銲墊表面即可於大氣氣氛下進行封裝製程中之切 晶、黏晶,並實現金球銲點成功銲著於銅銲墊晶片上,達成業界對銲著率與銲著強度的要求。

備註

本部(收文號1080046170)同意該校108年7月11日中正研發字第1080006426號函申請終止維護專利

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

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