在矽晶片上成長鍺薄膜之方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

092120502

專利證號

I 221009

專利獲證名稱

在矽晶片上成長鍺薄膜之方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立交通大學

獲證日期

2004/09/11

技術說明

本發明藉由超高真空化學氣相磊晶法(UHVCVD)及即時高溫退火技術等 之結合，以提供於矽晶 片上成長鍺磊晶之方法。 本發明之方法藉由將差排缺陷侷限化並利用應變界面阻擋該缺陷之技 術從而降低鍺磊晶層之 厚度、缺陷密度及表面粗糙度等之缺點。 首先，利用標準清洗步驟以潔淨矽晶片，再以10%HF溶液浸濕及高溫預 烘以去除表面之氧化 層，隨後以超高真空化學氣相磊晶法(UHVCVD)，於一特定之操作條件 下，在矽晶片上成長一 層高鍺含量之矽鍺磊晶層(如0.8微米之Si0.lGe0.9)。 接著後績之步驟，進一步地成長第二或視需要第三層之矽鍺磊晶層(如 0.8微米之 Si0.05Ge0.95、Si0.02Ge0.98)以利用各層之間形成之應變界面有效地 阻擋未湮滅掉而傳遞上 去之線差排。最後於該矽鍺磊晶層上成長一層鍺薄膜。

備註

本部(收文號1040087827)同意該校104年12月10日交大研產學字第1041013203號函申請終止維護專利

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