具紫外光光電元件及其製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

098132210

專利證號

I 399870

專利獲證名稱

具紫外光光電元件及其製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立中央大學

獲證日期

2013/06/21

技術說明

本發明係有關於一種發光二極體之製造方法，主要利用濕式蝕刻於磊晶結構形成複數錐體，而該些錐體之深度係從N型半導體層至P型半導體層，利用本發明之製造方法所製備之發光二極體之出光方向增加，所以提升發光二極體之發光效率。 本發明之目的，係在於提供一種發光二極體之製造方法，其利用濕式蝕刻磊晶結構形成複數錐體，有效提升發光二極體之出光方向，提升發光二極體之發光效率。 本發明之目的，係在於提供一種發光二極體之製造方法，其控制濕式蝕刻的條件，使濕式蝕刻磊晶結構之深度可超過發光層至第一半導體層，甚至可切割發光二極體。 本發明提供一種發光二極體之製造方法，其先轉移一磊晶結構至一轉移基板，該磊晶結構包含依序堆疊於轉移基板之一第一半導體層、一發光層及一第二半導體層。接著濕式蝕刻該磊晶結構，從該第二半導體層蝕刻至該第一半導體層，形成複數錐體於磊晶結構上。然後形成一保護層於該磊晶結構之該些錐體，最後形成一透明電極層於該磊晶結構之該第二半導體層及該保護層。 A method for manufacturing light emitting diode (LED) is revealed. By means of wet etching, a plurality of pyramids is formed on epitaxial structure. The depth of the pyramids is beyond a n-type semiconductor layer, reaching a p-type semiconductor layer. Thus light emitting directions of the LED made by the method of the present invention are increased. Therefore, the light emitting efficiency of LED is improved.

備註

本部(收文號1060048584)同意該校106年7月13日中大研字第1061430172號函申請終止維護專利

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

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