P型氧化鋅薄膜之製作方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

093134587

專利證號

I 243096

專利獲證名稱

P型氧化鋅薄膜之製作方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立交通大學

獲證日期

2005/11/11

技術說明

本發明只要揭示了在一種高電洞載子濃度的氮參雜p-type氧化鋅薄膜的製備方法，在鍍有氧化矽薄膜的矽基板上，經 由磁控射頻濺鍍法可提高市場佔有率，在低溫成長氧化鋅薄膜，再經過氮離子佈值處理形成。

備註

本部(收文號1040087827)同意該校104年12月10日交大研產學字第1041013203號函申請終止維護專利

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智慧財產權中心

連絡電話

03-5738251

網址