積體電路及決定電晶體之設定負字元電壓之方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

093132043

專利證號

I251838

專利獲證名稱

積體電路及決定電晶體之設定負字元電壓之方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立中山大學

獲證日期

2006/03/21

技術說明

本發明之ㄧ目的為使用負字元線電壓,使4T記憶體單元的漏電流降低,節省功率消耗,其中包含 至少一4T記憶體單元,當記憶體單元關閉時,其字元線電晶體的閘極電壓被施以一個負電壓,減 少漏電流,達到低功率效果。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學營運及推廣教育處

連絡電話

(07)525-2000#2651

網址