低溫多晶矽薄膜電晶體主動層之雷射再結晶方法Method for fabrication of polycrystalline silicon thin film transistors

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

10/867,660

專利證號

US 7,115,449 B2

專利獲證名稱

低溫多晶矽薄膜電晶體主動層之雷射再結晶方法Method for fabrication of polycrystalline silicon thin film transistors

專利所屬機關 (申請機關)

國立交通大學

獲證日期

2006/10/03

技術說明

本發明係一種製作複晶矽薄膜電晶體之方法，係可改 善複晶矽薄膜電晶體的電特性與可靠度，在傳統四道光罩 製作薄膜電晶體之前，先做選擇性氧化矽薄膜，此技術除 了可利用雷射側向再結晶來提高複晶矽薄膜電晶體的場效 載子移動率之外，具厚源極(Thick Source )/汲極(Thick Drain)且薄通道(Thin Channel)結構更可降低靠近汲極 (Drain)端的側向電場及通道的缺陷密度，因而可改善薄 膜電晶體的可靠度。

備註

本部(收文號1040087827)同意該校104年12月10日交大研產學字第1041013203號函申請終止維護專利

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