多孔複合結構電極及其製備方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

109145191

專利證號

I 751847

專利獲證名稱

多孔複合結構電極及其製備方法

專利所屬機關 (申請機關)

逢甲大學

獲證日期

2022/01/01

技術說明

本發明係提出一種多孔複合結構電極，所述複合結構為一多孔金屬基材、一奈米結構及一碳薄膜之組合。該多孔金屬基材係具有三維且微米尺寸孔洞之結構。該奈米結構係將多孔金屬基材進行化學處理以於其骨架表面生長而得之化合物且具有奈米尺寸之幾何結構；其中，化學處理係為電化學處理、熱化學處理或前述兩者組合之複合處理。該碳薄膜係採用液相有機溶劑為碳源，經高溫碳化後以均勻生成於奈米結構表面，並為一層狀之結晶碳結構。由於此多孔複合結構電極具有高通水性、多層次孔洞分布、高比表面積、高化學穩定性及高導電性，遂可將其應用於電容去離子之電極。

備註

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