具有突波保護性基板之穿孔發光二極體覆晶結構

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

094129183

專利證號

I258232

專利獲證名稱

具有突波保護性基板之穿孔發光二極體覆晶結構

專利所屬機關 (申請機關)

長庚大學

獲證日期

2006/07/11

技術說明

一種具有突波保護性基板之穿孔發光二極體覆晶結構，其包含該突波保護性基板、焊 球及一發光二極體晶粒，其中該發光二極體晶粒透過該等焊球焊至該突波保護性基板 上，並包含一發光二極體結構及一第二基板，該第二基板位於該穿孔發光二極體結構 之上，並具有複數個孔，該複數個孔自該第二基板一與該穿孔發光二極體結構遠離之 表面往下形成，並延伸至該穿孔發光二極體結構中的一動作層。在一較佳實施例中， 該複數個孔中至少有一者慣穿該穿孔發光二極體晶粒，且該發光二極體晶粒之電性仍 得以維持。利用本發明之具有突波保護性基板之穿孔發光二極體覆晶結構，不僅光取 出效率得以提升，其散熱效果亦較佳。 A light-emitting diode (LED) flip-chip structure is disclosed, comprising a first substrate, solders and a LED die. The LED die is connected onto the first substrate through the solders and comprises a second substrate and a LED structure. The second substrate has a plurality of holes extending downward from a surface thereof farer from the LED structure and at least one of the plurality of holes extending to an active layer of the LED structure. At an embodiment, the at least one hole extends through the LED structure. With the LED flip-chip structure, not only light extraction efficiency may be promoted but also good heat sinking is achieved. Although the hole extends through the LED structure, electrical characteristics of the LED structure is still maintained.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

技術移轉中心

連絡電話

03-2118800轉3201

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