氯離子感測膜之製造方法、氯離子感測裝置、量測系統、氯離子感測元件之感測度量測方法以及氯離子感測元件溫度敏感性、響應時間、遲滯量與時漂量之量測方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

097100544

專利證號

I 366669

專利獲證名稱

氯離子感測膜之製造方法、氯離子感測裝置、量測系統、氯離子感測元件之感測度量測方法以及氯離子感測元件溫度敏感性、響應時間、遲滯量與時漂量之量測方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立雲林科技大學

獲證日期

2012/06/21

技術說明

本發明提供了一種氯離子感測裝置，包括：一金氧半場效電晶體；一氯離子感測元件，包括一矽基材、一導電膜以及一氯離子感測膜；一絕緣層，部份包覆該氯離子感測元件，定義出一感測窗口並部份露出其內之該氯離子感測膜；以及一導線，穿透該絕緣層，以連結該金氧半場效電晶體與該氯離子感測元件。本發明另提供一種氯離子感測膜之製造方法、感測度量測系統以及氯離子感測元件之感測度量測方法。 A sensing unit for chloric ion is provided, comprising a metal oxide semiconductor field effect transistor, a sensing device for chloric ion including a substrate, a conductive film, and a sensing membrane for chloric ion, an insulating film partially covering the sensing device, defining a sensing window and exposing portions of the sensing membrane for chloric ion therein, and a conductive wire is formed through the insulating layer, connecting with the metal oxide semiconductor field effect transistor and the sensing device. The invention also provides a method of fabricating a sensing membrane for chloric ion, a sensitivity measuring system, and a sensitivity measuring method of a sensing device for chloric ion.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智財管理組

連絡電話

(05)5342601轉2521

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