高亮度發光二極體及其製造方法（二次bonding）(美)

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

10/668,554

專利證號

6,806,112 B1

專利獲證名稱

高亮度發光二極體及其製造方法（二次bonding）(美)

專利所屬機關 (申請機關)

國立中興大學

獲證日期

2004/10/19

技術說明

本發明係關於一種高亮度發光二極體(Light Emitting Diode，LED)及其製造方法。本發明之發光二極體包括一磷化鎵 光窗及一鏡面反射層，可使亮度大為提高。本發明製造發光二極體之方法則特別包括於將一完成LED結構與製程之磊晶 層上貼附(bonding)一玻璃基板，再將磊晶用之暫時基板移除，並鍍上鏡面反射層，且於鏡面反射層底部貼附(bonding) 一永久基板後，而後可將玻璃基板去除。藉由此二次貼附程序，可維持鏡面反射率，並保有厚視窗層於發光面上，更可 提供一散熱佳之基板，可使製造過程更簡易、快速、而又達高效率、高功率之LED。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

技術授權中心

連絡電話

04-22851811

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