發明
美國
16/865,286
US 11,367,615 B2
METHOD OF FABRICATING TRANSISTOR WITH SHORT GATE LENGTH BY TWO-STEP PHOTOLITHOGRAPHY
國立交通大學
2022/06/21
利用步進曝光機透過移動顯影位置和改變氮化矽厚度的二段式曝光取代電子束微影製程,使縮小線寬的同時,能避開電子束微影製程的缺點。 Two steps photolithography, which can replace E-beam lithography process through shifting the exposed area and changing the thickness of SiN by Stepper. It is feasible to avoid the drawbacks of E-beam lithography process while reducing the gate length.
智慧財產權中心
03-5738251
版權所有 © 國家科學及技術委員會 National Science and Technology Council All Rights Reserved.
建議使用IE 11或以上版本瀏覽器,最佳瀏覽解析度為1024x768以上|政府網站資料開放宣告
主辦單位:國家科學及技術委員會 執行單位:台灣經濟研究院 網站維護:台灣經濟研究院