一維金屬奈米結構之製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

101129875

專利證號

I 457474

專利獲證名稱

一維金屬奈米結構之製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立交通大學

獲證日期

2014/10/21

技術說明

本發明之主要目的在提供一種一維金屬奈米結構之製造方法，其利用簡易的直流或交流電鍍系統製作高緻密的一維金屬奈米線結構於撓性基材上，使其具有高表面積及可彎曲特性，不僅大幅降低製作成本，又可增加產業應用價值。 本發明之另一目的在提供一種一維金屬奈米結構之製造方法，其利用電鍍方式製作一維金屬奈米結構，可解決微影蝕刻的高成本製作、製作流程複雜的模板電鍍方式以及利用混漿塗佈所造成改變原來的奈米結構特性及塗佈不均等問題。 本發明之再一目的在提供一種一維金屬奈米結構之製造方法，其具有放大製程的優點，可廣泛應用於超級電容電極、鋰電池電極、燃料電池電極、生物感測電極及發光元件電極等領域，極具市場競爭優勢。 為達上述之目的，本發明提供一種一維金屬奈米結構之製造方法，包括下列步驟：提供一撓性基材；濺鍍一導電薄膜於撓性基板上，以形成一導電基材；及將導電基材放置於電鍍溶液內進行電化學沈積，使導電基材上形成對應導電薄膜之一維金屬奈米線結構。 The primary objective of the present invention is to provide a method for fabricating one-dimensional metallic nanostructures, which uses a simple DC or AC electroplating system to form flexible, high-density and high-surface-area one-dimensional metallic nanowire structures on a flexible substrate, whereby is greatly reduced the fabrication cost and expanded the industrial application thereof. Another objective of the present invention is to provide a method for fabricating one-dimensional metallic nanostructures, which uses an electroplating method to fabricate one-dimensional metallic nanostructures, whereby are exempted from the high price of the photolithographic method, the complicated process of the hard template method, the varied characteristic and non-uniform coating of the seed-mediated growth method.

備註

本部(收文號1100065219)同意該校110年10月27日陽明交大研產學字第1100036963號函申請終止維護專利(陽明交大)

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