X射線光罩結構及其製備方法(Ｘ線マスク構造およびその製造方法)X-RAY MASK STRUCTURE AND METHOD FOR PREPARING THE SAME

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

日本

專利申請案號

特願 2014-026518

專利證號

特許 5792848

專利獲證名稱

X射線光罩結構及其製備方法(Ｘ線マスク構造およびその製造方法)X-RAY MASK STRUCTURE AND METHOD FOR PREPARING THE SAME

專利所屬機關 (申請機關)

財團法人國家同步輻射研究中心

獲證日期

2015/08/14

技術說明

在微影製程中，光罩的優劣將直接影響成品的尺寸精度。特別是X光深刻技術中利用高能量的X光作為微影光源，因所有材質對X光均有相當高的吸收度，因此X光光罩必須使用極薄(<5m)的低原子序材料(ex. Si3N4, SiC, Be…)作為光罩鼓膜(membrane)提供較高的光穿透率，並搭配較厚(>5m)的高原子序材料(ex. Au, W, Pt…)作為光吸收體(absorber)，以提供足夠的曝光對比。然而這樣的光罩結構極為脆弱，在製造與使用過程中鼓膜均非常容易損壞，因此X光光罩一直是X光深刻技術中最關鍵的元件。 本專利根據材料、結構及製程的特性，提出複層X光光罩鼓膜結構，特別是利用極薄的殘留矽背板(residual Si backwall)提供絕佳的機械補強。本設計可大幅改善X光光罩的結構剛性，而且有效維持微影精度，對於X光深刻技術的施行具有極大的幫助。 High energy synchrotron x-ray is used as the light source. The mask membrane should be thin (<5m) with low-Z materials (ex. Si3N4, SiC, Be…); meanwhile, the mask absorber should be thick enough with high-Z materials (ex. Au, W, Pt…) to provide high exposure contrast. However, such a mask structure is very fragile and the membrane is always collapse during mask fabrication and X-ray exposure. Therefore, X-ray mask is always the key component in X-ray lithography technique.This patent proposes a multi-layered membrane structure, especially using a residual silicon backwall to improve membrane’s mechanical strength. The new design can effectively improve the rigidity of X-ray mask, yet keep the precision of patterned structure. This can greatly facilitate the performance of X-ray lithography technology.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產業企劃室

連絡電話

03-5780281 分機8418

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