半導體電路與微探針感測元件的整合結構及其製造方法INTEGRATION STRUCTURE OF SEMICONDUCTOR CIRCUIT AND MICROPROBE SENSING ELEMENTS AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

12/382,587

專利證號

US 7,875,479 B2

專利獲證名稱

半導體電路與微探針感測元件的整合結構及其製造方法INTEGRATION STRUCTURE OF SEMICONDUCTOR CIRCUIT AND MICROPROBE SENSING ELEMENTS AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

專利所屬機關 (申請機關)

國立交通大學

獲證日期

2011/01/25

技術說明

習知的半導體-微機電整合（CMOS-MEMS）技術包含半導體製程與微機電後製程部分，其中半導體製程是在矽晶圓正面製作積體電路，微機電後製程則包括藉由蝕刻製作懸浮感測元件，或是沉積、接合其他的感測與致動元件，本發明是關於一種半導體電路與微探針感測元件的整合結構及其製造方法，係於半導體基板一面製作半導體電路，另一面則直接蝕刻出供生理訊號感測之用的微探針構造，再利用沉積方法於微探針表面依序沉積絕緣層與導電層，最後，再使用導電材料電性連接半導體電路之電性連接墊與導電層，從而在同一片半導體基板兩面完成電路與微探針感測元件之整合，且解決了電性阻絕的問題，微探針所感測到的生理訊號準位將不會影響到半導體電路的正常工作。

備註

本部(收文號1100065219)同意該校110年10月27日陽明交大研產學字第1100036963號函申請終止維護專利(陽明交大)

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