RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

14/150,028

專利證號

US 9,159,918

專利獲證名稱

RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY

專利所屬機關 (申請機關)

國立清華大學

獲證日期

2015/10/13

技術說明

在一般的薄膜材料引入奈米結構，即在以濺鍍鍍製的氧化鋅薄膜上以化學溶液法成長氧化鋅奈米柱陣列，並以鉑做為此非對稱性的雙層結構的上下電極，作為二極體與電阻式記憶體元件，並結合此二極體與記憶體元件去做1D1R的記憶體應用， 此元件的主要有以下幾項新的技術層面與新的應用優勢: 1.雙元件特性: 此元件具有二極體與電阻式記憶體兩種的元件特性(圖二)，此元件利用氧化鋅奈米柱陣列與氧化鋅薄膜不同的缺陷量，與鉑介面的蕭特基能障不同而具有良好的整流特性。而此元件在給予一個大偏(forming voltage)後，就可以轉換成電阻式記憶體元件。 2.大幅提升記憶體元件的效能: 在引入奈米柱陣列的記憶體元件，具有較小的操作電壓，操作能源損耗，並具有較穩定的操作電壓與操作阻態，大幅的改善電阻式記憶體目前所遇到的瓶頸，如圖三所示。 3.低溫與便宜的製程: 濺鍍製程與化學溶液法都是室溫、花費便宜的製程，而氧化鋅又是便宜、無毒的熱門材料，此外，以全氧化鋅系統作為1D1R的記憶體陣列應用，更大大的減少製程的困難與花費，在應用上具有極高的潛力。 A resistive random access memory includes a first electrode, a second electrode and a first metal oxide composite layer. The second electrode is opposite to the first electrode. The first metal oxide composite layer is disposed between the first electrode and the second electrode. The first metal oxide composite layer has a film layer and a nanorods structure.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智財技轉組

連絡電話

03-5715131-62219

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