高增益低雜訊放大器

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

100145787

專利證號

I 433454

專利獲證名稱

高增益低雜訊放大器

專利所屬機關 (申請機關)

國立暨南國際大學

獲證日期

2014/04/01

技術說明

在RF接收機系統中，前端之低雜訊放大器，以低雜訊為重點。在RF發射機系統中之功率放大器，除了效率外，以線性度為重點。很多文獻皆用分散型放大器來做上述兩種放大器。此擬申請專利之分散型放大器，其具低雜訊、高線性度、高功率之優點。克服了分散型放大器之缺點：高功率損耗、高雜訊指數。原因為使用高增益分佈型放大器架構與多重雜訊抑制/增益聳起電感。本發明之低雜訊放大器，運用新型的增益級架構與多重增益增強/雜訊抑制技術所構成，同時達到低且寬頻之雜訊特性，及高且寬頻之增益特性。此為超寬頻低雜訊放大器電路架構上的一大突破。 We propose a wideband two-stage low-noise amplifier (LNA) with cascade gain cell, which constitutes two enhanced CMOS inverters. Multiple noise suppression techniques, including three noise-suppression/gain-peaking inductors and an RL terminal network, were used to achieve flat and low noise figure (NF) and flat and high power gain (S21) at the same time.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

研究發展處創業育成中心

連絡電話

049-2910960

網址