定向金屬奈米線的製作方法Method for forming metallic nanowires

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

11/969,675

專利證號

US 8,007,864 B2

專利獲證名稱

定向金屬奈米線的製作方法Method for forming metallic nanowires

專利所屬機關 (申請機關)

國立成功大學

獲證日期

2011/08/30

技術說明

現今已有各種物理或化學方法用以合成銀奈米線，為了獲得大產量的一維銀奈米結構，最常使用來合成金屬奈米線之方法可大致 分為兩種：模板合成法與晶種合成法。但是其缺點如下： 1. 模板合成法雖然可以控制方向，但是製作模板成本高，所長出奈米線的數目會受到受到內通道大小的限制。 2. 晶種法一般均需要合成晶種，在製程中所使用的有機物必須反覆清洗，步驟繁複。並且長出奈米線無方向性，難以控制 方向。模板合成法包括內含通道的陽極氧化鋁(AAM)、中孔洞二氧化矽及沸石內的孔洞當作具有奈米尺度孔洞之模板，再利用溶液 化學法、溶膠凝膠法及電鍍法於奈米尺度孔洞中沉積奈米線結構之材料，且可藉由控制電流與電解液生成不同孔徑之模版，以製 備不同尺寸的金屬奈米線。晶種合成法需用化學還原法在近室溫將尺寸約為3-4nm之屬晶種從金屬鹽類中在含有穩定劑的溶劑內還 原，再將含有此晶種的溶液加入另一含有大量金屬鹽類、弱還原劑及界面活性劑之溶液內。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

企業關係與技轉中心

連絡電話

06-2360524

網址