有機導電膜應用於寬能隙半導體歐姆接觸結構與製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

095138901

專利證號

發明第I 311826號

專利獲證名稱

有機導電膜應用於寬能隙半導體歐姆接觸結構與製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立彰化師範大學

獲證日期

2009/07/01

技術說明

我們提出一種寬能隙半導體材料相關之光電與微電子元件的歐姆接觸電極先進製程技術，本發 明是在寬能隙半導體材料上沉積或自旋塗佈適當之有機導電披覆層後，再沈積適當之歐姆接觸 電極材料，當加上電壓導通時載子會直接經由電極和有機導電層並直接注入寬能隙半導體中， 此舉將於界面形成較低之接觸電阻(或是較低之載子傳輸位障)。藉由這種增加有機導電披覆層 製程不僅避開高溫處理過程中可能產生之缺陷，而且還可獲得較低接觸電阻的歐姆接觸，此技 術將可應用於寬能隙半導體相關之發光、感光與微波等元件的歐姆接觸電極製程上，例如：短 波長(例如:紫外光波段)發光二極體(Light emitting diodes 簡稱LED)和雷射二極體、光檢測 計、微波元件、太陽能電池和蕭特基二極體。 In the invention, we demonstrate the formation mechanisms of ohmic contacts for wide-bandgap semiconductors with the organic capping layer. Because the organic layer grown on a wide-bandgap semiconductor led to the formation of the lower band bending of the wide-bandgap semiconductor, resulting in the formation of a low hole-transport barrier at the interface. As a result, we deduce that holes can be easily injected into the wide-bandgap semiconductor from the organic layer, leading to the ohmic contact formation. The application of an organic capping layer in the low-resistance ohmic formation could be useful for improving the performances of wide-band-semiconductor-related devices (i.e., light emitting diodes, laser diodes, Schottky diodes, microwave devices, solar cells, and photodetectors).

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

研究發展處

連絡電話

04-7232105轉1858

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