以微波電漿束化學氣相沉積系統進行合成大面積鑽石膜之裝置、方法及其製成品

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

097127504

專利證號

I 429778

專利獲證名稱

以微波電漿束化學氣相沉積系統進行合成大面積鑽石膜之裝置、方法及其製成品

專利所屬機關 (申請機關)

國立臺北科技大學

獲證日期

2014/03/11

技術說明

本發明係為一種以微波電漿束化學氣相沉積系統進行合成大面積鑽石膜之裝置、方法及其製成品。利用本發明之天線引導微波， 在天線尖端解離出適能且適量的高密度電漿束， 並將一基材固定於一作三軸向與旋轉運動之移動式載台上， 而以適當運動速率合成大面積與曲面鑽石薄膜於該基材上。藉由微波電漿束之應用並配合該移動式載台， 本發明於該基材上成長之大面積鑽石有別於傳統以大面積電漿球覆蓋成膜， 具有能提高成膜速率、克服待鍍物件幾何形狀、低耗能、選區成長之優點。 The present invention relates to a method and apparatus for synthesizing large area diamond films by microwave plasma jet chemical vapor deposition system and product thereof. By utilizing the antenna to guide microwave, the invention ignites necessary plasma for depositing diamond films on a substrate fixed at a moving platform that not only moves in three-axis direction but also moves rotationally. By utilizing microwave plasma and the moving platform, the large area diamond films deposited at the substrate of the invention is different from the conventional diamond film which is deposited by large area plasma ball. The invention improves the depositing rate, overcomes the shape of the substrates, reduces power consumption and deposits area-selectively.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

專利技轉組

連絡電話

02-87720360

網址