具陣列式奈米孔洞之氧化鋁薄膜的製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

093126977

專利證號

I 285225

專利獲證名稱

具陣列式奈米孔洞之氧化鋁薄膜的製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立交通大學

獲證日期

2007/08/11

技術說明

利用一般商用純度之鋁(ASTM 100或1000系列)，於室溫下，以單步驟式之陽極處理法，使鋁表面生成一層具陣列式奈 米孔洞之薄膜。傳統製程上，製作陣列式奈米孔洞之薄膜，對於鋁純度的要求為99.999%以上，並施以二步驟式陽極處 理法，本專利製程則以一般商用純鋁，施以單步驟式陽極處理法，可得奈米孔洞分佈其內，其孔徑尺寸為10至200範圍 內，此薄膜再經以熱處理方式針對薄膜內之缺陷後做後續的改善，可得陣列式奈米孔洞分佈其內，其孔洞直徑為75奈 米，厚度為10至80微米(依陽極處理時間而定)。

備註

本部(收文號1040087827)同意該校104年12月10日交大研產學字第1041013203號函申請終止維護專利

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智慧財產權中心

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